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如何區(qū)分IGBT管和MOS管

為電子維修人員來(lái)說(shuō)IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)和MOS（場(chǎng)效應(yīng)管）管在電路中是常見(jiàn)的兩種電子元器件。今天我根據(jù)平時(shí)維修時(shí)所見(jiàn)到的這兩種器件來(lái)說(shuō)說(shuō)如何區(qū)分IGBT管和MOS管。

首先從這兩種電子元器件上的標(biāo)識(shí)區(qū)別
我們知道電子元器件上所標(biāo)的型號(hào)是有一D含義的，因此我們可以根據(jù)他們身上所標(biāo)的符號(hào)含義來(lái)區(qū)別哪個(gè)是絕緣柵雙極型晶體管（IGBT），哪個(gè)是場(chǎng)效應(yīng)管（MOS）。首先我們可以根據(jù)場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOS管）的型號(hào)命名和標(biāo)注方法識(shí)別，在大量的維修案例中我總結(jié)出了場(chǎng)效應(yīng)管的三種命名規(guī)則，###種是場(chǎng)效應(yīng)管按照四部分方式命名的，###部分是極性數(shù)；第二部分是所用的材料，比如D代表P型硅，反型層N溝道，C是N型硅，反型層P溝道；第三部分是場(chǎng)效應(yīng)管的類(lèi)型；###后就是代表了場(chǎng)效應(yīng)管的規(guī)格號(hào)了。

第三種是按照?qǐng)鲂?yīng)管的漏極（D）電流、溝道、耐壓值等來(lái)命名的，并且在前面還有前綴，一般用字母表示，它主要是對(duì)場(chǎng)效應(yīng)管進(jìn)行區(qū)分。比如2N80B，這個(gè)2表示漏極電流是2A，N表示場(chǎng)效應(yīng)管是N溝道的，如果是P，那就表示是P溝道的了，80表示了耐壓值，它表示柵極（G）和源極（S）之間的擊穿電壓Vdss等的耐壓值。

2、絕緣柵晶體管（IGBT）的識(shí)別

對(duì)于絕緣柵晶體管（IGBT）從外觀(guān)看也是可以識(shí)別的，我在維修電磁爐和變頻器主板時(shí)常常會(huì)看到中小功率的IGBT管，這些電路主板上所用的IGBT管子大多都是國(guó)外的，在電磁爐中常見(jiàn)的有德國(guó)西門(mén)子產(chǎn)的IGBT、日本東芝的、美國(guó)IR的以及韓國(guó)三星的IGBT為主，比如我###常見(jiàn)的IGBT型號(hào)有H20R120系列的絕緣柵晶體管（IGBT）。這些管子每個(gè)廠(chǎng)家命名方法不同，它們的型號(hào)也是完全不同的，這需要積累�？偟膩�(lái)說(shuō)由于IGBT和MOS管在外觀(guān)上看有時(shí)很相似，只要知道了型號(hào)，一般可以通過(guò)網(wǎng)絡(luò)查詢(xún)是能識(shí)別出來(lái)哪個(gè)是IGBT管哪個(gè)是MOS管的。

MOS管與IGBT的特點(diǎn)
我們知道MOS管和IGBT管都是電壓型控制器件，它們的輸入電阻都很高，所以柵極電流都很小，其驅(qū)動(dòng)功率都小，驅(qū)動(dòng)電路可以做的很簡(jiǎn)單。不同的是對(duì)于場(chǎng)效應(yīng)（MOS）管來(lái)說(shuō)，有的MOS管它的漏極D和源極S可以互換使用，在使用上比較靈活，而絕緣柵雙極晶體管IGBT從制作結(jié)構(gòu)來(lái)說(shuō)要比MOS管復(fù)雜一些，從等效圖可以看出，它可以等效一個(gè)由PNP三極管和增強(qiáng)型NMOS管組合而成的功率晶體管，如下圖所示。

第三個(gè)優(yōu)點(diǎn)也就是我剛才講的它的耐擊穿電壓很高，其工作安全區(qū)大，在瞬間的高電壓和大電流下IGBT不容易損壞；###后一點(diǎn)就是IGBT工作頻率很高，開(kāi)關(guān)速度很快，可以達(dá)到100KHZ，因此在逆變器上常會(huì)看到IGBT管�？傊�，MOS管和IGBT管外觀(guān)雖然很相似，但是它們的秉性是不一樣的，我們?cè)谄綍r(shí)使用時(shí)要注意它們的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)，并仔細(xì)觀(guān)察測(cè)量，是很容易區(qū)分的

首頁(yè) > 電工基礎(chǔ) > 日期：2022-6-25 來(lái)源：Internet 作者：yq 瀏覽量：